1: へっぽこ立て子@エリオット ★ 2022/06/30(木) 14:44:36.17 ID:CAP_USER
→GAA構造のトランジスタ採用、5nmから性能23%向上
→半導体受託生産でトップのTSMC追撃に弾み

韓国のサムスン電子は30日、3ナノメートル(nm)半導体の量産を開始したと発表した。最先端の半導体製造を競い合う台湾積体電路製造(TSMC)に先行した。

  サムスンの資料によれば、同社の3nm製品はいわゆる「全周ゲート型(GAA)」構造のトランジスタを採用することで、5nm半導体と比べ電力消費を最大45%減らし、性能を23%向上させた。

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サムスン電子の3nm半導体Source: Samsung Electronics Co.

  サムスンにとって他社に先駆け3nm半導体を市場投入することは、半導体ファウンドリー(受託生産)最大手のTSMCを追撃する上で極めて重要な意味を持つ。

  TSMCの半導体ファウンドリー市場シェアは5割を超え、米アップルが独自開発したプロセッサー、いわゆる「アップルシリコン」を独占供給。「iPhone(アイフォーン)」「iPad(アイパッド)」「Mac(マック)」でこうしたプロセッサーが使われている。

  TSMCは今年7-12月(下期)に3nm半導体の量産を開始すると発表している。サムスンは韓国京畿道華城市の工場で3nm半導体を生産し、後に平沢市の最新施設でも製造する計画。

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サムスン電子の生産施設(華城市)Photographer: SeongJoon Cho/Bloomberg

原題:Samsung Is First to Start Mass Production of 3nm Chips (抜粋)
https://www.bloomberg.com/news/articles/2022-06-30/samsung-is-first-to-start-mass-production-of-3nm-chips

2022年6月30日 11:38 JST 更新日時 2022年6月30日 13:58 JST
Bloomberg
https://www.bloomberg.co.jp/news/articles/2022-06-30/RE9POOT0G1L001

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